В основе физики возникновения т.н. туннельного эффекта в полупроводниках лежит высокая подвижность носителей достаточная для вторичной ионизации кристаллической решётки, что приводит к образованию объёмного электрического домена с малой результирующей напряжённостью электрического поля внутри домена и к соответственному снижению скорости носителей тока внутри домена.
Это и отражается в снижении тока диода в определённой области растущего напряжения приложенного к диоду.
Т.е. имеем ярко выраженное отрицательное сопротивление диода в рабочей области подведённого питающего напряжения.
Тоже самое происходит и в диоде Ганна.
Форум Invision Power Board (http://nulled.cc)
© Invision Power Services (http://nulled.cc)