Версия для печати темы

Автор: Зиновий 30.4.2018, 13:21

В основу работы биполярного транзистора положены два эффекта.
1. Способность тонких плёнок электризоваться (отдавать электрический заряд - доноры и захватывать электрический заряд - акцепторы) .
2. Преодоление границы раздела веществ "донор-акцептор" в результате теплового движения свободных электронов в проводящем материале.
Биполярный транзистор представляет собой трёхслойный сандвич.
Так npn транзистор есть сандвич донор-акцептор-донор.
Тогда как pnp транзистор есть сандвич акцептор-донор-акцептор.
Центральный слой называется "База" и чем тоньше база транзистора (1) тем больше коэффициент усиления по току транзистора "β_ст".
Боковые области сандвича называют "Эмиттер" и "Коллектор".
Чем выше температура транзистора, тем легче электрические заряды из базы (в базу) проникают через границу с соседними областями (2) и след. больше "β_ст".
Смещая один из переходов (например база-эмиттер) постоянным отпирающим напряжением (U_б.э.) в сторону отпирания перехода, мы изменяем концентрацию подвижных носителей в базе, что облегчает переход подвижных носителей через границу база-коллектор.
Т.е. биполярный транзистор является тонкоплёночным, тепловым прибором.
Остальные подробности по мере возникновения вопросов.