Реальная физика туннельного эффекта в полупроводниках, на примере работы туннельного диода |
|
Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )
О разделеДанный раздел форума предназначен для всевозможных дискуссий и обсуждений тем, касающихся науки и околонаучных вопросов. Ваши мысли, идеи, гипотезы и просто мнения - приветствуются, при условии соблюдения Правил раздела. И не забывайте регистрироваться.
  |
Реальная физика туннельного эффекта в полупроводниках, на примере работы туннельного диода |
 24.6.2020, 20:35
Сообщение
#1
|
|
|
Прапорщик  Группа: Старожилы Сообщений: 7113 Регистрация: 7.10.2017 Из: г. Москва Пользователь №: 53225  |
В основе физики возникновения т.н. туннельного эффекта в полупроводниках лежит высокая подвижность носителей достаточная для вторичной ионизации кристаллической решётки, что приводит к образованию объёмного электрического домена с малой результирующей напряжённостью электрического поля внутри домена и к соответственному снижению скорости носителей тока внутри домена.
Это и отражается в снижении тока диода в определённой области растущего напряжения приложенного к диоду. Т.е. имеем ярко выраженное отрицательное сопротивление диода в рабочей области подведённого питающего напряжения. Тоже самое происходит и в диоде Ганна. Сообщение отредактировал Зиновий - 24.6.2020, 20:39 -------------------- Тот кто не знает и/или не понимает определений физических понятий - не знает физики.
То кто не знает физики - не знает и не понимает жизнь. Природу изучать не формулы тачать. |
 |
 
|
|
| Текстовая версия | Сейчас: 18.4.2024, 21:35 |
